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Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6900070, 申请日期: 2005-05-31, 公开日期: 2005-05-31
发明人:  CRAVEN, MICHAEL D.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SPECK, JAMES STEPHEN
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Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2004061909A1, 公开日期: 2004-07-22
发明人:  HASKELL, BENJAMIN, A.;  CRAVEN, MICHAEL, D.;  FINI, PAUL, T.;  DENBAARS, STEVEN, P.;  SPECK, JAMES, S.;  NAKAMURA, SHUJI
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Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20060008941A1, 公开日期: 2006-01-12
发明人:  HASKELL, BENJAMIN A.;  FINI, PAUL T.;  MATSUDA, SHIGEMASA;  CRAVEN, MICHAEL D.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SPECK, JAMES S.;  NAKAMURA, SHUJI
收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/12/26