Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy | |
其他题名 | Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy |
HASKELL, BENJAMIN, A.; CRAVEN, MICHAEL, D.; FINI, PAUL, T.; DENBAARS, STEVEN, P.; SPECK, JAMES, S.; NAKAMURA, SHUJI | |
专利权人 | THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA |
公开日期 | 2004-07-22 |
授权国家 | 世界知识产权组织 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density. |
其他摘要 | 通过氢化物气相外延(HVPE)的非极性a面氮化镓(GaN)膜的横向外延过生长(LEO)导致缺陷密度显着降低。 |
申请日期 | 2003-07-15 |
专利号 | WO2004061909A1 |
专利状态 | 未确认 |
申请号 | PCT/US2003/021918 |
公开(公告)号 | WO2004061909A1 |
IPC 分类号 | H01L21/205 | C30B25/02 | H01L21/20 | H01L21/00 |
专利代理人 | GATES, GEORGE, H. |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43461 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA |
推荐引用方式 GB/T 7714 | HASKELL, BENJAMIN, A.,CRAVEN, MICHAEL, D.,FINI, PAUL, T.,et al. Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy. WO2004061909A1. |
条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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