Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy | |
其他题名 | Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy |
HASKELL, BENJAMIN A.; FINI, PAUL T.; MATSUDA, SHIGEMASA; CRAVEN, MICHAEL D.; DENBAARS, STEVEN P.; SPECK, JAMES S.; NAKAMURA, SHUJI | |
专利权人 | THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER |
公开日期 | 2006-01-12 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques |
其他摘要 | 通过氢化物气相外延(HVPE)生长高度平面的非极性a面GaN膜。所得薄膜适合于通过各种生长技术进行随后的装置再生长 |
申请日期 | 2003-07-15 |
专利号 | US20060008941A1 |
专利状态 | 授权 |
申请号 | US10/537385 |
公开(公告)号 | US20060008941A1 |
IPC 分类号 | H01L21/00 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43460 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER |
推荐引用方式 GB/T 7714 | HASKELL, BENJAMIN A.,FINI, PAUL T.,MATSUDA, SHIGEMASA,et al. Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy. US20060008941A1. |
条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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