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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平; 马骁宇
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| 一种半导体激光器慢轴准直夹具组件及其应用方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN107275920B, 申请日期: 2019-03-22, 公开日期: 2019-03-22
发明人: 王鑫 ; 赵懿昊; 吴霞; 王翠鸾; 井红旗; 刘素平; 马骁宇
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| 半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108847575A, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
发明人: 井红旗; 王鑫; 赵懿昊; 袁庆贺; 刘素平; 马骁宇
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| 波长稳定DFB激光器及切趾光栅的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108400522A, 申请日期: 2018-08-14, 公开日期: 2018-08-14
发明人: 班雪峰; 赵懿昊; 刘素平; 马骁宇
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| 半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107230932A, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2017-10-03
发明人: 王鑫; 赵懿昊; 朱凌妮; 王翠鸾; 刘素平; 马骁宇
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| 一种用于激光器无遮挡镀膜的镀膜架装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104037617B, 申请日期: 2016-11-16, 公开日期: 2016-11-16
发明人: 赵懿昊; 王翠鸾; 刘素平; 马骁宇
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| 分布反馈激光器中基于纳米压印光栅干法刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104901160A, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2015-09-09
发明人: 张奇; 赵懿昊; 董振; 刘素平; 马骁宇
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