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半导体器件及其制备方法和应用 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105514793A, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2016-04-20
发明人:  陈弘;  贾海强
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一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101593679A, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
发明人:  蒋中伟;  王文新;  陈弘;  周均铭;  郭丽伟;  贾海强;  李卫;  高汉超
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硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101009346A, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2007-08-01
发明人:  陈弘;  周均铭;  贾海强;  郭丽伟
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硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101009347A, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2007-08-01
发明人:  陈弘;  贾海强;  周均铭;  郭丽伟
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一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1294649C, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2007-01-10
发明人:  陈弘;  王晶;  贾海强;  郭丽伟;  周均铭;  李卫;  汪洋;  邢志刚
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一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层半导体材料的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1252801C, 申请日期: 2006-04-19, 公开日期: 2006-04-19
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  尚勋忠;  黄绮
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在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1588640A, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02
发明人:  郭丽伟;  贾海强;  王晶;  邢志刚;  汪洋;  陈弘;  周均铭
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一种具有AlAs氧化层的半导体型材 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2653692Y, 申请日期: 2004-11-03, 公开日期: 2004-11-03
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  黄绮
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一种具有AlAs氧化层的半导体材料 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1536610A, 申请日期: 2004-10-13, 公开日期: 2004-10-13
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  黄绮
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