一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
其他题名	一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
	陈弘; 王晶; 贾海强; 郭丽伟; 周均铭; 李卫; 汪洋; 邢志刚
	2007-01-10
专利权人	中国科学院物理研究所
公开日期	2007-01-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液湿法腐蚀该衬底；最后再用稀的氢氟酸溶液腐蚀二氧化硅掩膜层，即可得到蓝宝石图形衬底。本发明提供的方法采用直接形成图形的衬底生长外延层，避免了采用二氧化硅层条纹衬底生长时对生长层的污染；与干法刻蚀相比湿法刻蚀有利于保护衬底免受损伤和污染，降低成本；在得到的图形衬底上外延生长GaN基时，穿透位错方向由垂直偏转为水平，从而减小GaN基外延层穿透位错的密度，提高外延层晶体质量，降低半导体发光材料的非辐射复合中心，增强辐射复合。
其他摘要	本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液湿法腐蚀该衬底；最后再用稀的氢氟酸溶液腐蚀二氧化硅掩膜层，即可得到蓝宝石图形衬底。本发明提供的方法采用直接形成图形的衬底生长外延层，避免了采用二氧化硅层条纹衬底生长时对生长层的污染；与干法刻蚀相比湿法刻蚀有利于保护衬底免受损伤和污染，降低成本；在得到的图形衬底上外延生长GaN基时，穿透位错方向由垂直偏转为水平，从而减小GaN基外延层穿透位错的密度，提高外延层晶体质量，降低半导体发光材料的非辐射复合中心，增强辐射复合。
申请日期	2004-05-18
专利号	CN1294649C
专利状态	授权
申请号	CN200410038260.4
公开（公告）号	CN1294649C
IPC 分类号	H01L21/84 \| H01L21/02 \| H01L33/00 \| H01L31/18 \| H01S5/00
专利代理人	王凤华
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48067
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈弘,王晶,贾海强,等. 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法. CN1294649C[P]. 2007-01-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1294649C.PDF（352KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文