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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3774503B2, 申请日期: 2006-02-24, 公开日期: 2006-05-17
发明人:  紀川 健;  佐川 みすず;  平本 清久;  野本 悦子;  豊中 隆司;  魚見 和久
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3651984B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25
发明人:  平本 清久;  佐川 みすず;  豊中 隆司;  篠田 和典
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3468612B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
发明人:  佐川 みすず;  平本 清久;  豊中 隆司;  篠田 和典;  魚見 和久;  青木 雅博;  佐藤 宏
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半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150322A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  中原 宏治;  豊中 隆司;  芳賀 徹;  谷渡 剛;  魚見 和久
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242561A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  豊中 隆司;  佐川 みすず;  平本 清久;  紀川 健;  藤崎 寿美子;  青木 雅博
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997326526A, 申请日期: 1997-12-16, 公开日期: 1997-12-16
发明人:  平本 清久;  佐川 みすず;  豊中 隆司
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997148671A, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-06-06
发明人:  豊中 隆司;  佐川 みすず;  平本 清久;  篠田 和典;  野本 悦子
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996032173A, 申请日期: 1996-02-02, 公开日期: 1996-02-02
发明人:  豊中 隆司;  佐川 みすず;  平本 清久;  土屋 朋信;  篠田 和典
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995263787A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
发明人:  平本 清久;  佐川 みすず;  土屋 朋信;  豊中 隆司
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995263812A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
发明人:  佐川 みすず;  豊中 隆司;  平本 清久;  篠田 和典;  土屋 朋信
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