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半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101223679A, 申请日期: 2008-07-16, 公开日期: 2008-07-16
发明人:  小林隆二;  菅生繁男
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気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2586118B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
发明人:  黒田 尚孝;  菅生 繁男
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996139404A, 申请日期: 1996-05-31, 公开日期: 1996-05-31
发明人:  菅生 繁男
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994021572A, 申请日期: 1994-01-28, 公开日期: 1994-01-28
发明人:  菅生 繁男
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波長多重用半導体光デバイスとその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995030146A, 公开日期: 1995-01-31
发明人:  笠原 健一;  菅生 繁男
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