半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	菅生繁男
	1994-01-28
专利权人	NEC CORP
公开日期	1994-01-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】本発明による半導体レーザはクラッド層と電極との間に接触抵抗の小さくできる接合層を有するために、接触抵抗による発熱の問題のない半導体レーザを提供することにある。【構成】本発明の半導体レーザは、第2クラッド層13と第2導電形電極15との間に接触抵抗低減のために、第1接合層17(窒素ドープZn0.25Cd0.75S、厚さ0.1μm)及び第2接合層18(窒素ドープZn0.25Hg0.75S、厚さ0.1μm)を設けている。そのため、禁制帯幅を小さくでき、しかも、基板の格子定数との不整合による欠陥が生じない材料を接合層にする事によって接触抵抗を低減できる。第2接合層の禁制帯幅が基板の砒化ガリウム程度に小さいため1018cm-3程度のドーピング濃度でも低い接触抵抗が期待できる。この場合、第1接合層、第2接合層ともにII族成分組成の亜鉛割合が約25%で基板に格子整合した組成を得ることができるため、格子歪による転位欠陥が生じない。
其他摘要	目的：通过在覆盖层和电极之间形成能够降低接触电阻的接合层，获得不发生由接触电阻引起的发热的半导体激光器。构成：为了降低接触电阻，在第一结层17（氮掺杂的Zn 0.25 Cd 0.75 S，厚度0.1μm）和第二结层18（氮掺杂的Zn 0.25 Hg 0.75 S，厚度0.1μm）之间形成第二覆盖层13和第二导电型电极15.因此，禁止带宽可以变窄。通过形成材料的结层，可以降低进一步的接触电阻，其中不会产生由于与衬底10的晶格常数不匹配而导致的缺陷。由于第二结层18的禁带宽度小到接近等于衬底10的镓砷化物的禁带宽度，因此通过约10 18 cm -3的掺杂浓度可以预期低的接触电阻。在上述情况下，在第一接合层17和第二接合层18中，可以通过约25％的II族组分组成的锌比率获得与基板10晶格匹配的组成。由此不会产生由于晶格畸变引起的位错缺陷。
申请日期	1992-07-02
专利号	JP1994021572A
专利状态	失效
申请号	JP1992200520
公开（公告）号	JP1994021572A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	本庄伸介
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84349
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	菅生繁男. 半導体レーザ. JP1994021572A[P]. 1994-01-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994021572A.PDF（20KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文