波長多重用半導体光デバイスとその製造方法

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	波長多重用半導体光デバイスとその製造方法
其他题名	波長多重用半導体光デバイスとその製造方法
	笠原健一; 菅生繁男
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1995-01-31
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】 WDM光エンターコネクション用の個々に発振波長の異なった面発光レーザアレイと、その波長のみを受けるフォトディテクタアレイを実現する。【構成】一回の成長で面発光レーザ側のエピ層のn-DBR層102、活性層103、P-DBR層104を形成し、その上にエッチング分離用のAlAs層105を成長し、更に二重共振器フォトディテクター側のエピ層となるP-DBR層106、光吸収層107、二重共振器層108、カバー層109を成長する。一回の成長でこれらを作るので面発光レーザ側と二重共振器フォトディテクター側の共振ピーク波長は、各ペアで完全に一致させることができる。次にフォトディテクター側の成長層を別のn-GaAs基板110に転写し、別々のプロセスで面発光レーザアレイに二重共振器フォトディテクターアレイを作製する。
其他摘要	目的：实现一种表面发射激光器阵列，其中WDM光互连的振荡波长各自不同，并实现仅接收波长的光电探测器阵列。组成：在一次生长操作中生长n-DBR层102，有源层103和作为表面发射激光器一侧的外延层的P-DBR层104，以及P-DBR层106，光学吸收层如图107所示，生长双谐振器108和双谐振器光电探测器侧的覆盖层109。由于这些层是在一次生长操作中形成的，因此可以使表面发射激光器侧的共振峰值波长和双谐振器光电探测器侧的共振峰值波长在每对中完全重合。然后，将光电探测器侧的生长层转移到另一个n-GaAs衬底110，并且在单独的工艺中在表面发射激光器阵列中制造双谐振器光电探测器阵列。
申请日期	1993-07-14
专利号	JP1995030146A
专利状态	失效
申请号	JP1993173514
公开（公告）号	JP1995030146A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S3/23 \| H01L31/12 \| H01S5/40 \| H01S5/42 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01S3/25
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43830
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	笠原健一,菅生繁男. 波長多重用半導体光デバイスとその製造方法. JP1995030146A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995030146A.PDF（36KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文