Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 菅生 繁男 | |
| 1996-05-31 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1996-05-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 活性層のエピタキシャル成長時にバリア層が平坦性を失うことなく、良好な歪み補償構造を実現する。 【構成】 バリア層3と、このバリア層3に挟まれた量子井戸層4とは半導体レーザの活性層を形成している。量子井戸層4は圧縮歪みを持つ主量子井戸層5と、この主量子井戸層5を挟み込みかつ主量子井戸層5の圧縮歪みを補償するための引張り歪みを持つ副量子井戸層6とが積層されて形成されている。 |
| 其他摘要 | 在有源层的外延生长期间提供良好的应变补偿结构而不损失阻挡层的平坦度。 阻挡层（3）和夹在阻挡层（3）之间的量子阱层（4）形成半导体激光器的有源层。在量子阱层4中，堆叠具有压缩应变的主量子阱层5和夹着主量子阱层5并具有用于补偿主量子阱层5的压缩应变的拉伸应变的子量子阱层6被堆叠并且形成了。 |
| 申请日期 | 1994-11-09 |
| 专利号 | JP1996139404A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994274124 |
| 公开（公告）号 | JP1996139404A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | ▲柳▼川 信 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76381 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅生 繁男. 半導体レーザ. JP1996139404A[P]. 1996-05-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996139404A.PDF（50KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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