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铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
发明人:  芦鹏飞;  王凯林;  陆瑾;  张凡;  张丽;  王庶民
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铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
发明人:  芦鹏飞;  张凡;  梁丹;  王庶民;  张丽
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含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107910388A, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2018-04-13
发明人:  王庶民;  芦鹏飞;  梁丹;  张立瑶
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