铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法

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	铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法
其他题名	铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法
	芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽
	2019-03-08
专利权人	超晶科技(北京)有限公司
公开日期	2019-03-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请公开了一种铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体材料。铟镓氮铋材料包括衬底层、缓冲层和铟镓氮铋材料。铟镓氮铋材料是将铟原子和铋原子同时掺入GaN合金中形成的，能够调节母体晶格常数以及电子性质，从而提高其发光效率。本申请通过调节掺入的铟原子和铋原子的浓度，有效调节GaN材料的禁带宽度，实现从可见光到近红外波段的覆盖，以应用于光电子器件。采用铟原子及铋原子的共掺杂可使材料更易生长并更加稳定。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
其他摘要	本申请公开了一种铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体材料。铟镓氮铋材料包括衬底层、缓冲层和铟镓氮铋材料。铟镓氮铋材料是将铟原子和铋原子同时掺入GaN合金中形成的，能够调节母体晶格常数以及电子性质，从而提高其发光效率。本申请通过调节掺入的铟原子和铋原子的浓度，有效调节GaN材料的禁带宽度，实现从可见光到近红外波段的覆盖，以应用于光电子器件。采用铟原子及铋原子的共掺杂可使材料更易生长并更加稳定。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
申请日期	2018-10-26
专利号	CN109449223A
专利状态	申请中
申请号	CN201811260058.4
公开（公告）号	CN109449223A
IPC 分类号	H01L31/0304 \| H01L31/109 \| H01L31/18 \| H01S5/343
专利代理人	范晓斌
代理机构	北京万思博知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92344
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	超晶科技(北京)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	芦鹏飞,张凡,梁丹,等. 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法. CN109449223A[P]. 2019-03-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109449223A.PDF（706KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文