Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 | |
| 其他题名 | 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 |
| 王庶民; 芦鹏飞; 梁丹; 张立瑶 | |
| 2018-04-13 | |
| 专利权人 | 超晶科技(北京)有限公司 |
| 公开日期 | 2018-04-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件，含铋氮化合物的半导体材料组成通式为InN1‑xBix，其中，0 |
| 其他摘要 | 本发明涉及含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件，含铋氮化合物的半导体材料组成通式为InN1‑xBix，其中，0 |
| 申请日期 | 2017-06-30 |
| 专利号 | CN107910388A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710524019.X |
| 公开（公告）号 | CN107910388A |
| IPC 分类号 | H01L31/0304 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 陈琳琳 | 李彪 |
| 代理机构 | 北京方安思达知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92188 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 超晶科技(北京)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王庶民,芦鹏飞,梁丹,等. 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件. CN107910388A[P]. 2018-04-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107910388A.PDF（181KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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