铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法

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	铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法
其他题名	铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法
	芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽; 王庶民
	2019-06-21
专利权人	诺迪克(余姚)光电产业研究院有限公司
公开日期	2019-06-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
其他摘要	本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
申请日期	2019-03-15
专利号	CN109920861A
专利状态	申请中
申请号	CN201910198751
公开（公告）号	CN109920861A
IPC 分类号	H01L31/0304 \| H01L31/109 \| H01L31/18 \| H01S5/343
专利代理人	柴国伟
代理机构	北京万思博知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92416
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	诺迪克(余姚)光电产业研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	芦鹏飞,王凯林,陆瑾,等. 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法. CN109920861A[P]. 2019-06-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109920861A.PDF（668KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文