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| 光トポロジカルデバイス 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2018136443A, 申请日期: 2018-08-30, 公开日期: 2018-08-30 发明人: 高田 健太; 納富 雅也 Adobe PDF(143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:79/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 3次元半導体光結晶素子の製造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3440306B2, 申请日期: 2003-06-20, 公开日期: 2003-08-25 发明人: 納富 雅也; 竹ノ内 弘和 Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 2次元半導体光結晶素子およびその製造方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000232258A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22 发明人: 納富 雅也; 児玉 聡 Adobe PDF(234Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:60/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体レーザ装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996088440A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02 发明人: 納富 雅也; 浅井 裕充; 吉國 裕三 Adobe PDF(65Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:67/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体量子井戸レーザの製法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993129710A, 申请日期: 1993-05-25, 公开日期: 1993-05-25 发明人: 岡本 稔; 納富 雅也 Adobe PDF(59Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:59/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993144732A, 公开日期: 1993-06-11 发明人: 西田 敏夫; 杉浦 英雄; 納富 雅也; 玉村 敏昭 Adobe PDF(36Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 偏光制御レーザダイオード 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993343800A, 公开日期: 1993-12-24 发明人: 納富 雅也; 玉村 敏昭; 岡本 稔 Adobe PDF(48Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:62/0  |  提交时间:2019/12/26 |