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光トポロジカルデバイス 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2018136443A, 申请日期: 2018-08-30, 公开日期: 2018-08-30
发明人:  高田 健太;  納富 雅也
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3次元半導体光結晶素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3440306B2, 申请日期: 2003-06-20, 公开日期: 2003-08-25
发明人:  納富 雅也;  竹ノ内 弘和
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2次元半導体光結晶素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000232258A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
发明人:  納富 雅也;  児玉 聡
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996088440A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02
发明人:  納富 雅也;  浅井 裕充;  吉國 裕三
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半導体量子井戸レーザの製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993129710A, 申请日期: 1993-05-25, 公开日期: 1993-05-25
发明人:  岡本 稔;  納富 雅也
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半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993144732A, 公开日期: 1993-06-11
发明人:  西田 敏夫;  杉浦 英雄;  納富 雅也;  玉村 敏昭
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偏光制御レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993343800A, 公开日期: 1993-12-24
发明人:  納富 雅也;  玉村 敏昭;  岡本 稔
Adobe PDF(48Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2019/12/26