Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 3次元半導体光結晶素子の製造方法 | |
| 其他题名 | 3次元半導体光結晶素子の製造方法 |
| 納富 雅也; 竹ノ内 弘和 | |
| 2003-06-20 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2003-08-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 光の波長の半分程度の大きさを持った3次元屈折率変調構造を構成することにより、3次元半導体光結晶素子を製造する方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 半導体基板上に、組成の異なる半導体多層膜4を成長する工程、リソグラフィー技術により半導体多層膜に周期的な孔6をあける工程、多層膜を構成する特定の半導体層のAlのみを酸化することにより当該層を強制酸化により形成されたAl2O3層7に転化する工程、とを組み合わせることにより、全体として3次元半導体屈折率変調構造を得ることを解決手段とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题提供一种通过构造尺寸约为光波长的一半的三维折射率调制结构来制造三维半导体光子晶体器件的方法。 通过光刻技术在半导体多层膜中形成周期性孔6的步骤;在半导体基板上仅在具有不同组成的半导体多层膜上形成构成Al多层膜的特定半导体层的步骤并且将该层转换为通过氧化强制氧化形成的Al 2 O 3 层7的步骤，作为整体，三维半导体折射从而获得速率调制结构。 |
| 授权日期 | 2003-06-20 |
| 申请日期 | 1997-12-25 |
| 专利号 | JP3440306B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997357673 |
| 公开（公告）号 | JP3440306B2 |
| IPC 分类号 | G02B | H01S | G02B6/12 | G02B6/13 | G02B6/00 | H01S5/00 | G02B6/136 |
| 专利代理人 | 磯野 道造 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42043 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 納富 雅也,竹ノ内 弘和. 3次元半導体光結晶素子の製造方法. JP3440306B2[P]. 2003-06-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3440306B2.PDF（70KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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