Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 偏光制御レーザダイオード | |
| 其他题名 | 偏光制御レーザダイオード |
| 納富 雅也; 玉村 敏昭; 岡本 稔 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1993-12-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 出力光の偏光特性を制御することができるレーザダイオードを提供する。 【構成】 レーザダイオード10の活性層に量子細線領域14を用いると共にその細線14aの長手方向をレーザストライプと平行にし、細線14aのレーザストライプに直交する断面の形状比により偏光特性を制御する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过使用量子细线或量子盒多维量子阱结构用于半导体激光器的有源层并通过改变其中改变结构的横截面形状的比率的偏振特性来控制输出光的偏振特性。组成：在激光二极管10中，采用量子细线结构。在基板11上，形成n-InP包层12，掩埋在InGaAsP光导层13中的InGaAs量子细线区域14，p-InP包层15和P + InGaAs接触层16为了。InGaAS量子细线区域14通过电子束光刻和湿法蚀刻图案化量子薄膜结构并在InGaAsP光导层13中再次固化来制造。所有细线14a与激光条纹平行设置。垂直于激光条纹的每条细线14a的横截面形状是矩形的。 |
| 申请日期 | 1992-06-10 |
| 专利号 | JP1993343800A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992150455 |
| 公开（公告）号 | JP1993343800A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 光石 俊郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43667 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 納富 雅也,玉村 敏昭,岡本 稔. 偏光制御レーザダイオード. JP1993343800A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993343800A.PDF（48KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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