半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法

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	半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法
其他题名	半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法
	西田敏夫; 杉浦英雄; 納富雅也; 玉村敏昭
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1993-06-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【目的】半導体基板上に側面に損傷を有しない半導体量子井戸構造体を、所期の幅で高精度微細に形成する。【構成】 n型InP基板11上にSiO2の誘電体マスク材層をスパッタ法で形成し、その上にフォトレジストのマスク層13を形成する。次にこれをマスクとしてエッチングにより、半導体量子井戸構造体20に対応するパターンを有し基板を外に臨ませる窓16有する誘電体マスク層15を形成した後、マスク層13を剥離除去する。次に成長条件を適当に選定した有機金属分子線エピタキシャル成長法により、誘電体マスク層15の窓16に臨む基板領域上に、InPバリア層21とInGaAs系井戸層22及びInPバリア層23からなる積層体を形成し半導体井戸構造体20を形成する。誘電体マスク層15をエッチング除去した後、基板上にInPからなる量子井戸構造体の埋込用半導体層を、上面が平坦になる厚さに形成し、その上にP型InP層を形成する。
其他摘要	目的：在半导体衬底上以规定的宽度，高精度和精细地形成半导体量子阱结构体，其侧面未被损坏。组成：通过溅射方法在n型InP衬底11上形成SiO2介质掩模材料层。在其上形成光致抗蚀剂掩模层13。然后，通过将其用作掩模来执行蚀刻操作。形成介电掩模层15，该介电掩模层15设置有对应于半导体量子阱结构体20的图案并且设置有窗口以将衬底暴露到外部。之后，剥离并去除掩模层13。然后，通过适当选择生长条件的有机金属分子束外延生长方法，在InP上形成由InP阻挡层21，InGaAS基阱，层22和InP阻挡层23构成的层叠体。在电介质掩模层15中面对窗口16的衬底区域。由此，形成半导体阱结构体20。蚀刻并去除介电掩模层15;之后，在基板上形成用于填充量子阱结构体的半导体层，该半导体层由InP构成，其厚度是表面被平坦化的厚度。在其上形成P型InP层。
申请日期	1991-03-01
专利号	JP1993144732A
专利状态	失效
申请号	JP1991059337
公开（公告）号	JP1993144732A
IPC 分类号	G02F1/025 \| H01L31/10 \| H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	田中正治
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43735
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	西田敏夫,杉浦英雄,納富雅也,等. 半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法. JP1993144732A.

条目包含的文件
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JP1993144732A.PDF（36KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文