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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲;  中野 一志;  池田 昌夫;  日野 智公;  浮田 昌一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3398966B2, 申请日期: 2003-02-21, 公开日期: 2003-04-21
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋
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半導体レーザー及び発光ダイオード 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3326833B2, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-09-24
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋
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半導体レーザー 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3057285B2, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-06-26
发明人:  中野 一志;  石橋 晃;  秋本 克洋
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2982340B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22
发明人:  秋本 克洋;  奥山 浩之
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窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999243253A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07
发明人:  橋本 茂樹;  宮嶋 孝夫;  冨岡 聡;  秋本 克洋
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II-VI族化合物半導体及びその形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994326138A, 申请日期: 1994-11-25, 公开日期: 1994-11-25
发明人:  樋江井 太;  伊藤 哲;  秋本 克洋
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半導体レーザー 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994061580A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  宮嶋 孝夫;  小沢 正文;  森永 優子;  樋江井 太
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993021893A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993021892A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋
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