窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法

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	窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法
其他题名	窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法
	橋本茂樹; 宮嶋孝夫; 冨岡聡; 秋本克洋
	1999-09-07
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-09-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】良質の単結晶の窒化物系III-V族化合物半導体を成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に層状物質からなる層を分子線エピタキシー法などにより成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる。基板としてはGaAs基板やSi基板などを用い、好ましくは層状物質からなる層の成長前に表面のダングリングボンドを終端させておく。層状物質としては、MoS2 などの遷移金属ダイカルコゲナイド、グラファイト、雲母などを用いる。この窒化物系III-V族化合物半導体を用いて半導体レーザ、発光ダイオード、FETなどを製造する。
其他摘要	要解决的问题：生长能够生长高质量的基于单晶氮化物的III-V族化合物半导体的氮化物基III-V族化合物半导体，制造半导体器件的方法和基于氮化物的III-V族化合物提供一种用于半导体生长的衬底及其制造方法。解决方案：通过分子束外延等在衬底上生长由层状材料制成的层，然后在由该层叠材料构成的层上生长氮化物基III-V化合物半导体。使用GaAs衬底或Si衬底作为衬底，并且优选在由层状材料制成的层生长之前终止表面上的悬空键。作为层状材料，使用过渡金属二硫属化物，例如MoS 2 ，石墨，云母等。使用该氮化物基III-V族化合物半导体制造半导体激光器，发光二极管，FET等。
主权项	-
申请日期	1998-02-25
专利号	JP1999243253A
专利状态	失效
申请号	JP1998043456
公开（公告）号	JP1999243253A
IPC 分类号	H01L21/338 \| H01L29/812 \| H01S5/323 \| C30B29/40 \| H01S5/343 \| H01L21/203 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64510
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	橋本茂樹,宮嶋孝夫,冨岡聡,等. 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法. JP1999243253A[P]. 1999-09-07.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999243253A.PDF（68KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文