Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザー | |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 奥山 浩之; 秋本 克洋; 宮嶋 孝夫; 小沢 正文; 森永 優子; 樋江井 太 | |
| 1994-03-04 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1994-03-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体を用いて青色発光が可能な半導体レーザーを実現する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型ZnMgSSeクラッド層3、ZnSe/ZnMgSSe多重量子井戸層から成る活性層4、p型ZnMgSSeクラッド層5及びp型ZnSeコンタクト層6を分子線エピタキシー法により順次積層する。p側電極にはAu/Pd電極8を用い、n側電極にはIn電極9を用いる。 |
| 其他摘要 | [目的]通过使用ZnMgSSe化合物半导体实现能够发射蓝光的半导体激光器。 n型ZnMgSSe包层3，由ZnSe / ZnMgSSe多量子阱层，p型ZnMgSSe包层5和p型ZnSe触点构成的有源层4通过分子束外延连续层压层6。 Au / Pd电极8用于p侧电极，In电极9用于n侧电极。 |
| 申请日期 | 1992-08-05 |
| 专利号 | JP1994061580A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992229356 |
| 公开（公告）号 | JP1994061580A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | B66B13/30 | B66B13/18 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86482 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋,宮嶋 孝夫,等. 半導体レーザー. JP1994061580A[P]. 1994-03-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994061580A.PDF（36KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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