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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3699753B2, 申请日期: 2005-07-15, 公开日期: 2005-09-28
发明人:  石谷 善博;  皆川 重量;  田中 俊明;  濱田 博
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996111558A, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-04-30
发明人:  田中 俊明;  大歳 創;  石谷 善博;  皆川 重量
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995249797A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
发明人:  皆川 重量;  田中 俊明;  石谷 善博;  大歳 創
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995249830A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
发明人:  皆川 重量;  田中 俊明;  石谷 善博;  大歳 創
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結晶成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995249831A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
发明人:  皆川 重量;  田中 俊明;  石谷 善博;  大歳 創
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