Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 皆川 重量; 田中 俊明; 石谷 善博; 大歳 創 | |
| 1995-09-26 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 AlGaInN系エピタキシャル結晶にファブ·リペロー·キャビテイを形成する半導体発光素子の製造方法を提供する。 【構成】 ウルツ鉱型結晶構造を有するAlGaInN系のエピタキシャル結晶において、エピタキシャル結晶面に垂直に溝を切り、溝の側面上にエピタキシャル結晶を成長せしめることによって良好なファブリ·ペロー·キャビテイを形成する。具体的には図1に示すとおり、AlGaInN系エピタキシャル結晶層12-16に溝18を掘り、その側壁に結晶成長層19をつけることによって平坦な反射面が形成される。 【効果】 AlGaInN系のエピタキシャル結晶に従来困難であったファブリ·ペロー·キャビテイを作り込むことが出来る。 |
| 其他摘要 | 提供一种制造半导体发光器件的方法，该半导体发光器件在AlGaInN基外延晶体中形成晶体防护腔。 在具有纤锌矿晶体结构的AlGaInN基外延晶体中，垂直于外延晶面切割沟槽，并且在沟槽的侧面上生长外延晶体以形成良好的法布里 - 珀罗腔。具体地，如图1所示，在AlGaInN基外延晶体层12-16中挖出沟槽18，并在其侧壁上形成晶体生长层19，由此形成平坦的反射表面。 【效果】可以制造以前难以用于AlGaInN基外延晶体的法布里·珀罗腔。 |
| 申请日期 | 1994-03-10 |
| 专利号 | JP1995249830A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994039443 |
| 公开（公告）号 | JP1995249830A |
| IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/323 | H01L33/16 | H01L33/10 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S5/028 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87899 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 皆川 重量,田中 俊明,石谷 善博,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1995249830A[P]. 1995-09-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995249830A.PDF（14KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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