半導体レーザ素子

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	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	田中俊明; 大歳創; 石谷善博; 皆川重量
	1996-04-30
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1996-04-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】本発明の目的は、青緑色から紫色に相当する短波長半導体レーザを構成するGaInN/AlGaN材料系において、低閾値でかつ高効率のレーザ発振を可能とさせることである。【構成】サファイア基板上1に、GaInN/AlGaN材料からなる歪多重量子井戸構造12を作製する。このとき、量子障壁層へのp型変調ドープでは量子井戸層との境界領域両側1nmにはドーピングせず、量子障壁層中央部と光分離閉じ込め層にはp型不純物を変調ドープして5×1018/cm3のキャリア濃度を発生させる。素子は劈開してバー状に切り出し、共振器の前面と後面に高反射膜コーティングを施す。【効果】本発明により、ホールの有効質量が重い材料系において、MQW活性層に対するキャリア注入効率を改善して発光効率を向上させることができた。
其他摘要	本发明的一个目的是在构成对应于蓝绿色至紫色的短波长半导体激光器的GaInN / AlGaN材料系统中实现低阈值和高效率的激光振荡。在蓝宝石衬底（1）上制造由GaInN / AlGaN材料制成的应变多量子阱结构（12）。此时，在量子势垒层的p型调制掺杂中，在量子阱层的边界区域的两侧不进行掺杂，并且量子势垒层和光分离限制层的中心部分掺杂有p型杂质以形成5×产生10 18 / cm 3 的载体浓度。将元件切割并切割成条形，并且将高反射膜涂层施加到谐振器的前表面和后表面。根据本发明，在有效质量的孔很重的材料系统中，可以提高MQW有源层的载流子注入效率，并且可以提高发光效率。
申请日期	1994-10-07
专利号	JP1996111558A
专利状态	失效
申请号	JP1994243681
公开（公告）号	JP1996111558A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89099
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	田中俊明,大歳創,石谷善博,等. 半導体レーザ素子. JP1996111558A[P]. 1996-04-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996111558A.PDF（29KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文