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氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103199433A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
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氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30
发明人:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
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半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1744398B, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15
发明人:  畑雅幸;  别所靖之;  野村康彦;  庄野昌幸
Adobe PDF(2315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101276990B, 申请日期: 2012-02-01, 公开日期: 2012-02-01
发明人:  畑雅幸;  竹内邦生;  德永诚一
Adobe PDF(1588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101478116B, 申请日期: 2012-01-25, 公开日期: 2012-01-25
发明人:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗
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半导体激光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101355232B, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-01-11
发明人:  广山良治;  野村康彦;  畑雅幸;  三宅泰人
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半导体激光装置和其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101272035B, 申请日期: 2011-12-14, 公开日期: 2011-12-14
发明人:  中岛三郎;  野村康彦;  畑雅幸;  后藤壮谦
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半導体レーザ装置および光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011243600A, 申请日期: 2011-12-01, 公开日期: 2011-12-01
发明人:  林 伸彦;  畑 雅幸
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半导体激光装置和显示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102227853A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26
发明人:  畑雅幸;  久纳康光;  野村康彦;  中岛三郎
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半导体激光装置和显示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102171899A, 申请日期: 2011-08-31, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  畑雅幸;  久纳康光;  野村康彦;  中岛三郎
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