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半导体激光二极管及其封装方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104426050A, 申请日期: 2015-03-18, 公开日期: 2015-03-18
发明人:  周坤;  李德尧;  张书明;  刘建平;  张立群;  冯美鑫;  李增成;  王怀兵;  杨辉
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一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104409319A, 申请日期: 2015-03-11, 公开日期: 2015-03-11
发明人:  南琦;  王怀兵;  王辉;  吴岳;  傅华
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利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103296168A, 申请日期: 2013-09-11, 公开日期: 2013-09-11
发明人:  王怀兵;  王辉;  黄强
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一种氮化镓基激光器管芯的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102545051A, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  张书明;  王辉;  刘建平;  王怀兵;  杨辉
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氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299482A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  曾畅;  张书明;  刘建平;  王辉;  冯美鑫;  李增成;  王怀兵;  杨辉
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半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299480A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  冯美鑫;  张书明;  王辉;  刘建平;  曾畅;  李增成;  王怀兵;  杨辉
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F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299479A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  冯美鑫;  张书明;  王辉;  刘建平;  曾畅;  李增成;  王怀兵;  杨辉
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半导体激光器TO封装结构及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102290704A, 公开日期: 2011-12-21
发明人:  冯美鑫;  张书明;  王辉;  刘建平;  曾畅;  李增成;  王怀兵;  杨辉
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