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半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001024283A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26
发明人:  野澤 博;  佐々木 徹;  天明 二郎;  玉村 敏昭
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分布帰還型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3151755B2, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-04-03
发明人:  廣野 卓夫;  玉村 敏昭;  山本 智子;  中野 純一
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半導体装置の製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993347457A, 申请日期: 1993-12-27, 公开日期: 1993-12-27
发明人:  西田 敏夫;  玉村 敏昭
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半導体量子井戸構造体を有する半導体装置の製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993144732A, 公开日期: 1993-06-11
发明人:  西田 敏夫;  杉浦 英雄;  納富 雅也;  玉村 敏昭
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偏光制御レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993343800A, 公开日期: 1993-12-24
发明人:  納富 雅也;  玉村 敏昭;  岡本 稔
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分布反射器及びそれを用いた波長可変半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994069586A, 公开日期: 1994-03-11
发明人:  吉国 裕三;  玉村 敏昭;  東盛 裕一;  石井 啓之
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