半導体装置の製法

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	半導体装置の製法
其他题名	半導体装置の製法
	西田敏夫; 玉村敏昭
	1993-12-27
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1993-12-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【目的】平坦な表面をもつ半導体基板上の2つの領域に、第1及び第2の半導体層が形成されている半導体装置を製造する際、上記2つの半導体層を高精度に位置決めされた状態に容易に形成できる製造法を提供する。【構成】表面が平坦な半導体基板1上に、半導体基板の表面1aを外部に臨ませる第1の窓を有し且つ厚さが薄い第1絶縁膜11を形成し、次に基板表面上に第1絶縁膜上に延長し、かつ基板表面の第1の窓に臨む領域を外部に臨ませる第2の窓を有し、かつ厚さの薄い第2絶縁膜15を形成する。次に基板表面1a上に第2の窓に臨む領域で、第2絶縁膜15をマスクとするエピタキシヤル成長法により第1の半導体層を形成する。第2絶縁膜を基板表面から除去した後、基板表面上に第1の窓に臨む領域における第1の半導体層が形成されていない領域で、第1絶縁膜11をマスクとしてエピタキシヤル成長法により第2の半導体層9を形成する。
其他摘要	目的：提供一种制造半导体器件的方法，当具有第一和第二半导体层的器件形成在具有平坦表面的半导体衬底上的两个区域上时，该半导体器件能够容易地形成处于精确定位状态的两个半导体层。组成：在具有平坦表面的基板1和在第一绝缘膜上延伸的第二绝缘膜15上形成第一绝缘膜11，第一绝缘膜11具有在外部与半导体基板的表面1a相对的第一窗口并且厚度减小在与基板表面的第一窗口相对的区域外部相对的第二窗口上形成厚度减小的第二窗口。然后，通过外延生长方法在基板表面1a上与第二窗口相对的区域上形成第一半导体层，其中膜15作为掩模。在从衬底表面去除第二绝缘膜之后，在衬底表面上与第一窗口相对的区域上的未形成有第一半导体层的区域上形成第二半导体层9，其中膜11为通过外延生长方法的掩模。
申请日期	1992-06-15
专利号	JP1993347457A
专利状态	失效
申请号	JP1992180448
公开（公告）号	JP1993347457A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	田中正治
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86734
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	西田敏夫,玉村敏昭. 半導体装置の製法. JP1993347457A[P]. 1993-12-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993347457A.PDF（42KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文