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半導体発光装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2538960B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-10-02
发明人:  牛嶋 一郎;  中井 三郎;  生沼 一幸;  大宮 史也
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996031659B2, 申请日期: 1996-03-27, 公开日期: 1996-03-27
发明人:  牛嶋 一郎
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994013701A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
发明人:  牛嶋 一郎;  小原 治
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半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993198895A, 申请日期: 1993-08-06, 公开日期: 1993-08-06
发明人:  上手 清嗣;  米谷 治雄;  牛嶋 一郎
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