Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 牛嶋 一郎; 小原 治 | |
| 1994-01-21 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 DFB レーザに関し,光CATVシステムにおける光源に適用可能な低歪みかつ高出力の特性を得るためにコルゲーションの光結合効率を向上することを目的とする。 【構成】 光活性層等の半導体層を成長させる工程またはその前処理工程において高温雰囲気に曝されることによる変形を考慮して, 基板上にあらかじめ形成するコルゲーションを, 平坦で有限の幅を有する凹部と, この凹部より幅の狭い凸部とを交互に繰り返して構成する。 |
| 其他摘要 | 用途：为了通过一种方法高度保持光耦合特性，其中，考虑到在半导体层生长工艺等中在高温大气球中产生的相变，通过交替地布置凹陷部分来形成要在基板上提供的波纹。和突出部分，留下规定的间隔。组成：当制造用作光学CATV系统中的光源的半导体激光器时，基板1具有通过例如以2000的间距A布置三角形横截面突出部分2而形成的波纹。使用埃。此时，波纹的突出部分2与位于突出部分2之间的凹陷部分之间的高度差设定在280至440埃的范围内，并且突出部分之间的平坦凹陷部分的宽度D例如，图2中的D / A = 3/5。由n型InGaAsP，有源层4和p型InP包层5组成的导光层3外延地外延生长，并制造半导体激光器。 |
| 申请日期 | 1992-06-25 |
| 专利号 | JP1994013701A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992166480 |
| 公开（公告）号 | JP1994013701A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 井桁 貞一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84875 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛嶋 一郎,小原 治. 半導体レーザの製造方法. JP1994013701A[P]. 1994-01-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994013701A.PDF（37KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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