半導体発光装置およびその製造方法

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	半導体発光装置およびその製造方法
其他题名	半導体発光装置およびその製造方法
	上手清嗣; 米谷治雄; 牛嶋一郎
	1993-08-06
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1993-08-06
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】アナログ光伝送用のレーザに関し,レーザのチャーピング幅を広げて, フアイバ伝送時のCNR の劣化を抑制することと,活性層への電流集中を改善して歪を低減することを目的とする。【構成】 1)活性層上のクラッド層の不純物濃度が該クラッド層の面内で不均一に分布され,導波路内の屈折率分布が不均一に形成されている,2)前記クラッド層上に該クラッド層より高濃度の半導体層を被着し,該半導体層から固相拡散により不純物を不均一に導入する,3)n-InP からなる基板 1上に光ガイド層3, 活性層 4, p-InP からなる第1クラッド層 5, p+ -InGaAsPからなるキャップ層 6を順次成長し,該キャップ層から該第1クラッド層に不純物を固相拡散する,4)前記キャップ層 6として, p+ -InGaAsPに代わって p+ -InGaAs を用いるように構成する。
其他摘要	目的：增加激光的啁啾宽度，抑制光纤传输时CNR的恶化，改善有源层的电流集中，减少应变，对于模拟传输的激光器。组成：有源层上的包层的杂质浓度不均匀地分布在包层的表面，并且波导中的折射率分布不均匀地形成。厚度高于包层的半导体层粘附在包层上，并且通过固相扩散从半导体层不均匀地引入杂质。在由N-InP构成的基板1和杂质上依次生长光导层3，有源层4，由P-InP构成的第一覆层5和由P + InGaAsP构成的覆盖层6从盖层到第一包层进行固相扩散。代替P + InGaAsP，使用P + InGaAs作为覆盖层6。
申请日期	1992-10-06
专利号	JP1993198895A
专利状态	失效
申请号	JP1992266396
公开（公告）号	JP1993198895A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83603
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	上手清嗣,米谷治雄,牛嶋一郎. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1993198895A[P]. 1993-08-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993198895A.PDF（162KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文