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スタック型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3814950B2, 申请日期: 2006-06-16, 公开日期: 2006-08-30
发明人:  後藤 吉孝;  木村 裕治;  渥美 欣也
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3606933B2, 申请日期: 2004-10-15, 公开日期: 2005-01-05
发明人:  安部 克則;  木村 裕治;  渥美 欣也;  上野 祥樹
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光パワー測定装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3463395B2, 申请日期: 2003-08-22, 公开日期: 2003-11-05
发明人:  鈴木 博幸;  横井 政雄;  渥美 欣也
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3240794B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  安部 克則;  木村 裕治;  渥美 欣也;  上野 祥樹
Adobe PDF(56Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000269599A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
发明人:  加藤 久弥;  安部 克則;  渥美 欣也
Adobe PDF(66Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レ—ザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000196181A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
发明人:  安部 克則;  松下 規由起;  渥美 欣也
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半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999243259A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07
发明人:  安部 克則;  渥美 欣也
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レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999046034A, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16
发明人:  加藤 久弥;  後藤 吉孝;  安部 克則;  渥美 欣也;  照井 武和;  松下 規由起
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レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999040881A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
发明人:  後藤 吉孝;  加藤 久弥;  渥美 欣也
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レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999040882A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
发明人:  松下 規由起;  加藤 久弥;  渥美 欣也
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