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光半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3002180B1, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
发明人:  ▲浜▼口 真一;  広瀬 正則;  鶴田 徹;  志水 雄三
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超短パルスレーザ光発生装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2760451B2, 申请日期: 1998-03-20, 公开日期: 1998-05-28
发明人:  広瀬 正則
Adobe PDF(22Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2523643B2, 申请日期: 1996-05-31, 公开日期: 1996-08-14
发明人:  山本 敦也;  杉野 隆;  広瀬 正則;  吉川 昭男
Adobe PDF(35Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996028547B2, 申请日期: 1996-03-21, 公开日期: 1996-03-21
发明人:  広瀬 正則;  ▲吉▼川 昭男;  粂 雅博;  山本 敦也;  中村 晃;  杉野 隆
Adobe PDF(17Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レ-ザ装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996012945B2, 申请日期: 1996-02-07, 公开日期: 1996-02-07
发明人:  宮永 和恒;  杉野 隆;  広瀬 正則;  山本 敦也;  ▲吉▼川 昭男
收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995099785B2, 申请日期: 1995-10-25, 公开日期: 1995-10-25
发明人:  杉野 隆;  山本 敦也;  広瀬 正則;  ▲吉▼川 昭男
Adobe PDF(18Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2020/01/18