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	超短パルスレーザ光発生装置
其他题名	超短パルスレーザ光発生装置
	広瀬 正則
	1998-03-20
专利权人	松下電子工業株式会社
公开日期	1998-05-28
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable a laser ray emitting device to stably generate picosecond pulses excellent in reproducibility by a method wherein a double hetero junction structure functioning as a gain medium of a semiconductor and a multi-quantum well serving as a saturable absorbent are monolithically integrated in the same substrate, and a single outer mirror is used. CONSTITUTION:A double hetero junction (DH) structure 1 and a multi-quantum well film 2 formed of a GaAs/AlGaAs layer are grown on a GaAs substrate through an organic metal vapor growth method. Furthermore, a cone-shaped groove is formed so far as to reach to the double hetero junction (DH) structure 1, a high reflectivity coating film 3 of Al2O3/Si multilayered film is formed on one side of the substrate, a low reflectivity coating film 4 of Al2O3 film is formed on the other side of the substrate, and a spherical mirror 60% in reflectivity is used as an output mirror 5.
其他摘要	目的：通过一种方法，使激光射线发射装置能够稳定地产生极好的再现性的皮秒脉冲，其中用作半导体增益介质的双异质结结构和用作可饱和吸收剂的多量子阱整体地集成在一起。相同的基板，使用单个外镜。组成：双异质结（DH）结构1和由GaAs / AlGaAs层形成的多量子阱薄膜2通过有机金属气相生长方法生长在GaAs衬底上。此外，形成锥形槽以到达双异质结（DH）结构1，在基板的一侧上形成Al2O3 / Si多层膜的高反射率涂层膜3，低反射率涂层在基板的另一侧形成Al 2 O 3膜4，并且使用反射率为60％的球面镜作为输出镜5。
申请日期	1990-06-25
专利号	JP2760451B2
专利状态	失效
申请号	JP1990167215
公开（公告）号	JP2760451B2
IPC 分类号	H01S | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人	滝本 智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47646
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電子工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	広瀬 正則. 超短パルスレーザ光発生装置. JP2760451B2[P]. 1998-03-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2760451B2.PDF（22KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文

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