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氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
发明人:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治
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氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1253948C, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
发明人:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2728190B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
发明人:  山田 元量;  中村 修二
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995183576A, 申请日期: 1995-07-21, 公开日期: 1995-07-21
发明人:  山田 元量;  中村 修二
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