半導体レーザ素子

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	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	山田元量; 中村修二
	1997-12-12
专利权人	NICHIA KAGAKU KOGYO KK
公开日期	1998-03-18
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】 p-n接合を有する窒化ガリウム系半導体チップを用いた半導体レーザ素子において、特に半導体チップの冷却効率の優れたものを提供する。【構成】成長基板と、この成長基板上に順次形成されたn形及びp形窒化ガリウム層と、これらp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成された一対の電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、半導体チップは、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、半導体チップの一対の電極が、支持基板と対向するp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成され、一方、これら電極と対向した熱伝導性絶縁スペーサ上には対向電極層が形成され、電極と対向電極層とは熱導電性のある導電性接着剤で固定されている。
其他摘要	提供一种使用具有pn结的氮化镓基半导体芯片的半导体激光器件，特别是具有优异的半导体芯片冷却效率的半导体激光器件。一种半导体芯片，包括至少一个生长衬底，在生长衬底上顺序形成的n型和p型氮化镓层，以及分别形成在p型和n型氮化镓层上的一对电极。在半导体芯片设置在支撑基板上的半导体激光器件中，半导体芯片通过大于半导体芯片尺寸的导热绝缘间隔件和半导体芯片的一对电极固定在支撑基板上在导热绝缘隔离物上形成对电极层，该导电绝缘隔离物分别形成在面对的p型和n型氮化镓层上，同时面对电极，并且电极和对电极层是导电的。用粘合剂固定。
申请日期	1993-02-05
专利号	JP2728190B2
专利状态	失效
申请号	JP1993042126
公开（公告）号	JP2728190B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L33/40 \| H01S5/323 \| H01L23/36 \| H01L33/62 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/64 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72964
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NICHIA KAGAKU KOGYO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	山田元量,中村修二. 半導体レーザ素子. JP2728190B2[P]. 1997-12-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2728190B2.PDF（19KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文