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| 制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101499415A, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 2009-08-05
发明人: 永井诚二; 山崎史郎; 佐藤峻之; 药师康英; 奥野浩司; 五所野尾浩一
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| 3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3717255B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人: 永井 誠二; 山崎 史郎; 小池 正好; 冨田 一義; 加地 徹
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| 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999266058A, 申请日期: 1999-09-28, 公开日期: 1999-09-28
发明人: 山崎 史郎; 小池 正好
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| 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145566A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人: 小池 正好; 山崎 史郎; 手銭 雄太
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| 3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998163577A, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-06-19
发明人: 小出 典克; 小池 正好; 山崎 史郎; 永井 誠二; 赤崎 勇; 天野 浩
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| 3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998150219A, 申请日期: 1998-06-02, 公开日期: 1998-06-02
发明人: 永井 誠二; 山崎 史郎; 小池 正好
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| GaN系発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998145004A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人: 小池 正好; 永井 誠二; 山崎 史郎; 平松 敏夫; 赤崎 勇; 天野 浩
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135514A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人: 小出 典克; 浅見 慎也; 梅崎 潤一; 小池 正好; 山崎 史郎; 永井 誠二
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| 3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997283861A, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1997-10-31
发明人: 山崎 史郎; 永井 誠二; 小池 正好
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| 3族窒化物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997129925A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
发明人: 山崎 史郎; 永井 誠二; 小池 正好; 赤崎 勇; 天野 浩
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