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II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  山口 恭司;  田才 邦彦;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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光路変換装置及びこれを用いた光モジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009145457A, 申请日期: 2009-07-02, 公开日期: 2009-07-02
发明人:  山口 恭司
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
发明人:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀;  浅野 竹春;  日野 智公
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006147879A, 申请日期: 2006-06-08, 公开日期: 2006-06-08
发明人:  山口 恭司
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氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18
发明人:  小林俊雅;  簗克典;  山口恭司;  中岛博
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氮基半导体激光器件和其生产方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19
发明人:  山口恭司;  小林高志;  小林俊雅;  喜岛悟;  富冈聪;  安斋信一;  东条刚
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半導体発光素子およびその製造方法ならびに光電子集積回路およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000022275A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
发明人:  山口 恭司;  土居 正人;  玉田 仁志
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999163461A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
发明人:  玉田 仁志;  山口 恭司
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