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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2950028B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
发明人:  中村 隆宏;  寺門 知二
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光半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2827411B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  寺門 知二;  味澤 昭;  山口 昌幸;  小松 啓郎
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光双安定集積素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994038539B2, 申请日期: 1994-05-18, 公开日期: 1994-05-18
发明人:  寺門 知二;  藤原 雅彦
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994061587A, 申请日期: 1994-03-04, 公开日期: 1994-03-04
发明人:  寺門 知二
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光電子集積回路の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994012809B2, 申请日期: 1994-02-16, 公开日期: 1994-02-16
发明人:  寺門 知二
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光双安定集積素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994007623B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
发明人:  寺門 知二
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993304334A, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
发明人:  寺門 知二
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