光双安定集積素子

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	光双安定集積素子
其他题名	光双安定集積素子
	寺門知二; 藤原雅彦
	1994-05-18
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1994-05-18
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a compact optical bistable integrated element characterized by high efficiency, high reliability, a low price and easy manufacture, by integrating an optical bistable semiconductor laser and semiconductor laser switches, which are arranged in the axial direction of a resonator, on the same substrate. CONSTITUTION:On an N-InP substrate 10, an N-InP buffer layer 11, a non-doped In0.71Ga0.29As0.61P0.39 active layer 12 and InP clad layer 13 are laminated. A wafer having grooves 14 and 15 is formed on the DH substrate by a photolithography method. First and second current blocking layers 16 and 17 are sequentially formed on the wafer. The layers 16 and 17 are not grown on a mesa stripe 18. Then, an N-InP embedded layer 19 and a P-In0.75Ga0.25As0.47P0.53 cap layer 20 are sequentially formed. A P-side electrode 21 is formed and divided by a groove 22. The layer 20 is etched away. Photoresist is applied, and two semiconductor laser switches 26 and 27 and an optical bistable semiconductor laser 28 are isolated. Grooves 23 and 24, which also serve as reflecting mirrors, are formed. The substrate 10 is polished, and an N-side electrode 25 is provided.
其他摘要	目的：通过集成光学双稳态半导体激光器和沿谐振器轴向排列的半导体激光开关，获得一种紧凑型光学双稳态集成元件，其特点是高效率，高可靠性，低价格和易于制造。相同的基材。组成：在N-InP衬底10上，层叠N-InP缓冲层11，非掺杂In0.71Ga0.29As0.61P0.39有源层12和InP包层13。通过光刻法在DH基板上形成具有凹槽14和15的晶片。在晶片上依次形成第一和第二电流阻挡层16和17。层16和17不在台面条18上生长。然后，依次形成N-InP嵌入层19和P-In0.75Ga0.25As0.47P0.53盖层20。形成P侧电极21并由凹槽22分开。蚀刻掉层20。施加光致抗蚀剂，并且隔离两个半导体激光开关26和27以及光学双稳态半导体激光器28。形成也用作反射镜的凹槽23和24。抛光基板10，并提供N侧电极25。
主权项	-
申请日期	1985-03-27
专利号	JP1994038539B2
专利状态	失效
申请号	JP1985062428
公开（公告）号	JP1994038539B2
IPC 分类号	H01S \| G02F3/02 \| H03K \| G02F3/00 \| G02F \| H03K19/14 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45752
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	寺門知二,藤原雅彦. 光双安定集積素子. JP1994038539B2[P]. 1994-05-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994038539B2.PDF（516KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文