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光学部品の固定構造 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2015143732A, 申请日期: 2015-08-06, 公开日期: 2015-08-06
发明人:  古市 浩朗;  天野 泰雄;  岡村 昌幸;  市川 文仁;  小笠原 浩
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窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4298023B2, 申请日期: 2009-04-24, 公开日期: 2009-07-15
发明人:  岩谷 素顕;  竹内 哲也;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇
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二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1678772A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05
发明人:  大谷茂树;  木下博之;  松波弘之;  须田淳;  天野浩;  赤崎勇;  上山智
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氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
发明人:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩;  赤崎勇
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氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
发明人:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩;  赤崎勇
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000196146A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
发明人:  山口 栄雄;  赤▲崎▼ 勇;  天野 浩
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000124552A, 申请日期: 2000-04-28, 公开日期: 2000-04-28
发明人:  竹内 哲也;  金子 和;  山田 範秀;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2995187B1, 申请日期: 1999-10-22, 公开日期: 1999-12-27
发明人:  山口 栄雄;  赤▲崎▼ 勇;  天野 浩
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GaN系素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998173227A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26
发明人:  小池 正好;  永井 誠二;  赤崎 勇;  天野 浩
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3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998163577A, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-06-19
发明人:  小出 典克;  小池 正好;  山崎 史郎;  永井 誠二;  赤崎 勇;  天野 浩
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