Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 山口 栄雄; 赤▲崎▼ 勇; 天野 浩 | |
| 1999-10-22 | |
| 专利权人 | 日本学術振興会 |
| 公开日期 | 1999-12-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 クラッド層の材料としてGaNを用いても格子歪みが極めて小さく、短波長から長波長にわたって良好な発光特性が得られる半導体発光素子を実現することにある。
【解決手段】 本発明による半導体発光素子は、絶縁性の単結晶基板(1)と、この基板(1)の上側に形成され、GaNから成る第1導電型の第1のクラッド層(3)と、この第1のクラッド層(3)の上側に形成した真性半導体材料の活性層(4)と、この活性層(4)の上側に形成され、GaNから成る第2導電型の第2のクラッド層(7)と、前記第1及び第2のクラッド層にそれぞれ電気的に結合された第1及び第2の電極(8,9)とを具え、前記活性層を、一般式Al1-x Inx N(01-x InxN(0 |
| 其他摘要 | [目的]实现即使在使用GaN作为包层材料时具有极小晶格畸变的半导体发光器件，并且能够获得从短波长到长波长的优异发光特性。
根据本发明的半导体发光器件包括绝缘单晶衬底（1）和形成在衬底（1）的上侧并由GaN制成的第一导电类型的第一覆层（3）。并且，在第一包层（3）的上侧形成本征半导体材料的有源层（4），在有源层（4）的上侧形成由GaN制成的第二导电类型的第二导电类型。包层（7）和第一和第二电极（8,9）分别电连接到第一和第二包层;在特征在于> 1-x In x N（0 1-x In x N（0 |
| 申请日期 | 1998-12-28 |
| 专利号 | JP2995187B1 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998373466 |
| 公开（公告）号 | JP2995187B1 |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 | H01S3/18673 |
| 专利代理人 | 杉村 暁秀 (外8名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89265 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本学術振興会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 栄雄,赤▲崎▼ 勇,天野 浩. 半導体発光素子. JP2995187B1[P]. 1999-10-22. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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