窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法

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	窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
其他题名	窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法
	岩谷素顕; 竹内哲也; 天野浩; 赤▲崎▼ 勇
	2009-04-24
专利权人	フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
公开日期	2009-07-15
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】多層薄膜の結晶性を改善する。【解決手段】窒化物半導体の低温堆積緩衝層とその直上に堆積した窒化物半導体の単結晶層とから成る層対を複数備える多層堆積基板において、少なくとも一つの前記単結晶層に成長面内の結晶歪が下部の単結晶層の成長面内の結晶歪から圧縮側へ移行するようにした。
其他摘要	要解决的问题：改善多层薄膜的结晶度。解决方案：在包括多个层对的多层沉积基板中，每个层对包括氮化物半导体低温沉积缓冲层和紧邻其上沉积的氮化物半导体单晶层，至少一个所述单晶层具有因此，晶体应变从下单晶层的生长表面中的晶体应变转移到压缩侧。
授权日期	2009-04-24
申请日期	1998-10-28
专利号	JP4298023B2
专利状态	失效
申请号	JP1998322859
公开（公告）号	JP4298023B2
IPC 分类号	H01L \| H01L21/20 \| H01L33/12 \| H01S5/00 \| H01S5/323 \| H01L33/00 \| H01L21/205 \| H01L33/32
专利代理人	中村稔 \| 大塚文昭 \| 熊倉禎男 \| 宍戸嘉一 \| 竹内英人 \| 今城俊夫 \| 小川信夫 \| 村社厚夫 \| 西島孝喜 \| 箱田篤
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35262
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
推荐引用方式 GB/T 7714	岩谷素顕,竹内哲也,天野浩,等. 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法. JP4298023B2[P]. 2009-04-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4298023B2.PDF（158KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文