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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104364983B, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09
发明人:  吉田真治;  持田笃范;  冈口贵大
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氮化物半导体发光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104364982A, 申请日期: 2015-02-18, 公开日期: 2015-02-18
发明人:  萩野裕幸;  吉田真治;  森本廉
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009295871A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
发明人:  折田 賢児;  吉田 真治;  長谷川 義晃;  持田 篤範
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