Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体激光元件 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 吉田真治; 持田笃范; 冈口贵大 | |
| 2016-03-09 | |
| 专利权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 公开日期 | 2016-03-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜，具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备：半导体层叠体，其由III族氮化物半导体构成，并具有发光端面；和保护膜，其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成，保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成，从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置，端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层，氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造，金属氧化物膜通过激光而结晶化。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜，具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备：半导体层叠体，其由III族氮化物半导体构成，并具有发光端面；和保护膜，其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成，保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成，从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置，端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层，氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造，金属氧化物膜通过激光而结晶化。 |
| 授权日期 | 2016-03-09 |
| 申请日期 | 2013-08-28 |
| 专利号 | CN104364983B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201380031459.1 |
| 公开（公告）号 | CN104364983B |
| IPC 分类号 | H01S5/028 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 齐秀凤 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40523 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田真治,持田笃范,冈口贵大. 氮化物半导体激光元件. CN104364983B[P]. 2016-03-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104364983B.PDF（3157KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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