氮化物半导体发光装置

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	氮化物半导体发光装置
其他题名	氮化物半导体发光装置
	萩野裕幸; 吉田真治; 森本廉
	2015-02-18
专利权人	松下知识产权经营株式会社
公开日期	2015-02-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光装置具备氮化物半导体发光元件(3)、和容纳氮化物半导体发光元件(3)的封装件(10)。封装件(10)具有：具有开口部(11c)的基台(11)、与基台(11)一起构成容纳氮化物半导体发光元件(3)的容纳空间的盖罩(30)、通过开口部(11c)并与氮化物半导体发光元件(3)电连接的引线管脚(14a、14b)、以及被填埋入开口部(11c)并将基台(11)与引线管脚(14a、14b)绝缘的绝缘部件(17a、17b)。绝缘部件(17a、17b)的至少与容纳空间面对的部分由不包含Si-O键的第1绝缘材料构成。
其他摘要	本发明提供一种氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光装置具备氮化物半导体发光元件(3)、和容纳氮化物半导体发光元件(3)的封装件(10)。封装件(10)具有：具有开口部(11c)的基台(11)、与基台(11)一起构成容纳氮化物半导体发光元件(3)的容纳空间的盖罩(30)、通过开口部(11c)并与氮化物半导体发光元件(3)电连接的引线管脚(14a、14b)、以及被填埋入开口部(11c)并将基台(11)与引线管脚(14a、14b)绝缘的绝缘部件(17a、17b)。绝缘部件(17a、17b)的至少与容纳空间面对的部分由不包含Si-O键的第1绝缘材料构成。
主权项	一种氮化物半导体发光装置，具备：氮化物半导体发光元件；和封装件，其容纳所述氮化物半导体发光元件，所述封装件具有：基台，其保持所述氮化物半导体发光元件，并具有开口部；盖罩，其被固定于所述基台，与所述基台一起构成容纳所述氮化物半导体发光元件的容纳空间；引线管脚，其通过所述开口部，并与所述氮化物半导体发光元件电连接；和绝缘部件，其被填埋入所述开口部，将所述基台与所述引线管脚绝缘，所述绝缘部件的至少与所述容纳空间面对的部分由不包含Si-O键的第1绝缘材料构成。
申请日期	2013-02-19
专利号	CN104364982A
专利状态	失效
申请号	CN201380027682.9
公开（公告）号	CN104364982A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01L23/02 \| H01L23/10 \| H01L33/48
专利代理人	齐秀凤
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55949
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下知识产权经营株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	萩野裕幸,吉田真治,森本廉. 氮化物半导体发光装置. CN104364982A[P]. 2015-02-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104364982A.PDF（2518KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文