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半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
发明人:  横川 俊哉;  吉井 重雄
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999186646A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
发明人:  宮永 良子;  上山 智;  吉井 重雄;  佐々井 洋一
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半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999163406A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
发明人:  吉井 重雄;  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  西川 孝司;  宮永 良子
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999112082A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
发明人:  西川 孝司;  宮永 良子;  吉井 重雄;  齋藤 徹;  上山 智;  佐々井 洋一
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半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999068251A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
发明人:  吉井 重雄;  上山 智;  佐々井 洋一
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998209559A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
发明人:  宮永 良子;  上山 智;  横川 俊哉;  吉井 重雄
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垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998154850A, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
发明人:  横川 俊哉;  吉井 重雄
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II-VI族半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998107382A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24
发明人:  吉井 重雄;  横川 俊哉;  上山 智;  佐々井 洋一
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996255955A, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
发明人:  横川 俊哉;  吉井 重雄;  佐々井 洋一
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995193328A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28
发明人:  吉井 重雄;  林 茂生;  大川 和宏;  三露 常男
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