半導体構造体および半導体装置の製造方法

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	半導体構造体および半導体装置の製造方法
其他题名	半導体構造体および半導体装置の製造方法
	横川俊哉; 吉井重雄
	2003-09-26
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2003-12-08
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】 II-VI族半導体レーザ等の低コンタクト抵抗のp型オーム性電極構造体を提供する。【解決手段】 ZnSe系II-VI族半導体を用いた青色半導体レーザである。Siをドープしたn型GaAs基板11上に、Clをドープしたn型ZnSe層12、Clをドープしたn型ZnSSeクラッド層13、Clをドープしたn型ZnMgSSeクラッド層14、Clをドープしたn型ZnSSe光導波層15、ZnCdSe活性層16、Nをドープしたp型ZnSSe光導波層17、Nをドープしたp型ZnMgSSeクラッド層18、Nをドープしたp型ZnSSe層19、Nをドープしたp型ZnSe層110、アモルファスTe層111、絶縁層112である。Teアモルファス層111をコンタクト層に用いることにより、低いコンタクト抵抗が得られる。
其他摘要	要解决的问题：为II-VI半导体激光器等提供低接触电阻的P型欧姆电极结构。解决方案：蓝色半导体激光器由ZnSe II-VI半导体形成。 Cl掺杂的N型ZnSe层12，Cl掺杂的N型ZnSSe包层13，Cl掺杂的N型MgSSe包层14，Cl掺杂的N型ZnSSe光波导层15，ZnCdSe有源层16，N掺杂的P型ZnSSe光导层17，N掺杂的P型ZnMgSSe覆层18，N掺杂的P型ZnSSe层19，N掺杂的P型ZnSe层110在Si掺杂的N型GaAs衬底11上形成非晶Te层111和绝缘层112，以形成低接触电阻的P型欧姆电极结构。通过使用非晶Te层111作为接触层，可以减小这种结构的P型欧姆电极结构的接触电阻。
申请日期	1996-02-27
专利号	JP3475637B2
专利状态	失效
申请号	JP1996039445
公开（公告）号	JP3475637B2
IPC 分类号	H01L33/34 \| H01L \| H01L21/203 \| H01L33/16 \| H01L21/363 \| H01S \| H01L33/40 \| H01S5/042 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01L21/28 \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01L33/00
专利代理人	岩橋文雄 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47426
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	横川俊哉,吉井重雄. 半導体構造体および半導体装置の製造方法. JP3475637B2[P]. 2003-09-26.

条目包含的文件
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JP3475637B2.PDF（78KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文