II-VI族半導体素子及びその製造方法

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	II-VI族半導体素子及びその製造方法
其他题名	II-VI族半導体素子及びその製造方法
	吉井重雄; 横川俊哉; 上山智; 佐々井洋一
	1998-04-24
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1998-04-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体材料と良好な熱接触を持ち、熱伝導率が良好で、かつ十分な電気絶縁性を持つ絶縁層を設けたII-VI族半導体素子を提供する。【解決手段】 p型II-VI族化合物半導体である、p型ZnSe層606の表面を不活性ガスであるXeを含むプラズマに曝す。それにより絶縁層607を形成する。その絶縁膜を電流狭窄層として用いたII-VI族半導体レーザとする。その結果、絶縁層の密着性が向上し素子の放熱と耐久性が改善される。
其他摘要	要解决的问题：通过使电绝缘部件暴露于含有惰性气体的等离子体存在于n型或p型半导体层中，形成具有改善的热接触和导热性的半导体材料的电绝缘部件II-VI半导体元件的一部分。解决方案：将GaAs基板上的p型ZnSe薄膜104安装在真空容器102中，并且通过压力将作为惰性气体的Ar 105引入容器中。通过用于放电的高频电源106将高频引入真空容器102，并且在衬底支架107和相对电极108之间产生Ar等离子体103，从而暴露p型ZnSe薄膜104的表面。然后，在II-VI半导体的表面上形成薄的绝缘层。 p型ZnSe薄膜104的表面的电阻率达到至10×10Ω·cm，因此获得足够的电阻作为绝缘层。绝缘层的导热率达到优异值12W / m.K.而且，没有绝缘层剥离，因此实现了与II-VI半导体的改善的粘合性。
主权项	-
申请日期	1996-09-30
专利号	JP1998107382A
专利状态	失效
申请号	JP1996258084
公开（公告）号	JP1998107382A
IPC 分类号	B66D5/30 \| B66C13/23 \| B66C13/26 \| G11B7/125 \| H01S5/00 \| B66D1/46 \| B66C13/28 \| H01S3/18
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60040
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	吉井重雄,横川俊哉,上山智,等. II-VI族半導体素子及びその製造方法. JP1998107382A[P]. 1998-04-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998107382A.PDF（94KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文